اخیرا خواص حرارتی نانوساختارهای نیمرسانا و ابرشبکه هاتوجه زیادی را به دلائل زیر به خود معطوف کرده است. اولا کاهش پیوسته ابعاد مدارها و افزاره های میکروالکترونیک که باعث افزایشی در توان اتلافی در واحد سطح تراشه ی نیمه هادی می شود. در نتیجه تاثیر آثار اندازه روی رسانش گرمایی برای طراحی افزاره و قابلیت اعتماد به آن بسیار حائز اهمیت خواهد بود. ثانیا طراحی و ساخت دستگاه های دو بعدی چاه کوانتومی نیمه هادی ناهمگون منجر به کاهش رسانش گرمایی و بهبود کارائی ترموالکتریکی آنها می شود. در این کار پژوهشی خواص گرمایی یک ساختار دوبعدی نیمه هادی مانند چاه کوانتومیSi و Ge با لحاظ نرخ واهلش فونون در فرآیندهای پراکندگی واگرد، پراکندگی مرزی و پراکندگی اختلاف جرم را بررسی کرده و رسانش گرمایی را محاسبه و رسم کردیم. مشاهده گردید که هدایت حرارتی می تواند با تنظیم ضخامت لایۀ جداگر تعدیل شود. همچنین نتایج محاسبات نشان می دهد که هدایت حرارتی چاه کوانتومی نمونه در حدود یک مرتبه کمتر از انبوهۀ مشابه اش است. نتایج ما با داده های نظری و تجربی اخیر توافق دارد.

در این مقاله تحرک پذیری و خواص ترموالکتریکی دیامان های ( Cl و F و C2X (X= H با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی و بستۀ محاسباتی کوانتوم اسپرسو و بولتزراپ مطالعه می­شود. در تمامی ساختارهای ( Cl و F و C2X (X=H تحرک پذیری حفره ها کوچک تر از تحرک پذیری الکترون­ها است. این امر ناشی از شکل ساختار نواری هر ساختار است. برای ساختارهای C2H، C2F و C2Cl با آلایش نوع p بیشینه ضریب سیبک به ترتیب برابر است با µV/K 2733، 2811 و 2201 و برای آلایش نوع n، بیشینه ضریب سیبک مواد فوق به ترتیب 2767،- 2696- و 2269- µV/K است. در تمامی ساختارها پارامترهای ترموالکتریکی از جمله رسانندگی الکتریکی، رسانندگی گرمایی الکتریکی و ضریب توان در مقادیر مثبت پتانسیل شیمیایی بیشینه هستند. در نتیجه این مواد با آلایش نوع n می توانند مواد ترموالکتریکی مناسب تری باشند. همچنین هر سه ساختار در بازۀ دمایی 200-500 کلوین بیشینه ضریب توان را دارند‏.

در این مقاله بلورهای فوتونی نیمه هادی آلائیده با ساختار Air(AB)N Air تحت یک میدان مغناطیسی خارجی مطالعه شده است، بطوری که لایه A دی الکتریک ( شیشه کوارتز)، لایه B نیمه هادی آلائیده (گالیم آرسناید نوع n ) و N تعداد تناوب لایه ها می باشد. نشان دادیم که تحت میدان خارجی، نیمه هادی مانند لایه تک منفی و ساختار مانند فیلتر چندکاناله عمل می کند. طوری که در طیف تراگسیلی این فیلتر N-1 تا پیک تشدیدی تیز شانه-مانند به ازای N>1 ظاهر می شود. همچنین نتایج عددی نشان داد که فرکانس های تشدیدی با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی و چگالی الکترونی می توانند قابل تنظیم شوند به این صورت که افزایش میدان مغناطیسی و چگالی الکترونی به ترتیب منجر به جابجایی قرمز و آبی مدهای تشدیدی می شوند. فیلتر فابری پروی پیشنهادی در مقایسه با فیلترهای معمول چندکاناله مبتنی بر بلورهای فوتونی یک ساختار چند لایه ای بدون نقص می باشد.

1در این مقاله بر اساس معادلات نرخ لیزر پیرو، روابط جدیدی برای فرکانس ناکوکی، پاسخ فرکانسی مدولاسیون مستقیم لیزر نیمه هادی حلقوی با قفل تزریقی، پاسخ فرکانسی مدولاسیون دامنه و فاز لیزر راهبر توسعه داده شد. با افزایش توان تزریق لیزر راهبر مشاهده می گردد که پهنای ناحیه قفل شده، فرکانس نوسانات واهلشی و پهنای باند مدولاسیون های مستقیم لیزر پیرو و همچنین دامنه و فاز لیزر راهبر افزایش می یابد. در مقایسه بین روش های مختلف مدولاسیون، مدولاسیون فاز لیزر راهبر در حالتی که سیگنال پاسخ، دامنه لیزر پیرو است بیشترین پهنای باند (80 برابر پاسخ فرکانسی مدولاسیون مستقیم لیزر پیرو)را ارائه می کند.

در این مقاله روش جدید و کارآمدی برای مدل سازی دقیق افزاره های نیمه هادی با استفاده از مدل تقریبی و به کمک شبکه عصبی ارایه شده است. بر خلاف مدل های دقیق که دارای پیچیدگی بالا و هزینه زمانی و پردازشی زیادی هستند، روش پیشنهادی از پیچیدگی کمتر و سرعت پردازش بیشتری برخوردار است. در این روش از شبکه عصبی RBF برای محاسبه پارامتر اصلاحی در مدل نفوذ - رانش استفاده شده است. بدین صورت حل مدل تقریبی اصلاح شده منجر به جواب دقیق می شود. روش پیشنهادی ابتدا برای دیود n-i-n سیلیکونی به صورت یک بعدی و سپس برای ترانزیستور اثر میدانی سیلیکونی به صورت دوبعدی برای دو حالت درون یابی و برون یابی در رنج محدود، شبیه سازی شده است که نتایج آن برای متغیرهای اساسی مدل، مثل توزیع الکترون و پتانسیل در طول افزاره در ولتاژهای مختلف، دقت بالای روش پیشنهادی را تایید می کنند.